按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。四氟化碳是目前微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。
四氟化碳(CF4)早就是通過氟碳直接反應法制得的,該方法經過不斷的發展與完善, 如今已成為工業上制備全的主要的方法之一。高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產品,是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學性質穩定,在密閉容器中遇高熱有危險,不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。
四氟化碳(CF4)早就是通過氟碳直接反應法制得的,該方法經過不斷的發展與完善, 如今已成為工業上制備全的主要的方法之一。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,隨后通過硅膠干燥塔得到產品。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,后經精餾而得成品。
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